| Add Favorite

Welcome to SZHJD.com

HomepageAbout UsProductsNewsTechnicQualityH. R.FeedbackContact Us中文版  

 
   Homepage>> Technic>>Text

CMOS technology breakthrough in the current limit of transistor technology


http://www.szhjd.com

    

Freescale Semiconductor company's ITFET (Inverted T Channel-Field 

Effect Transistor) technology make it come true that a single 

transistor can be both in the combination of vertical and planar 

thin body structure, which overcome a vertical multi-gate 

transistors challenges faced in many design and production, 

and is expected to open up high performance, low power, small 

size of the next-generation semiconductor devices. By combining 

the CMOS’ stability and vertical and low leakage current advantages, 

the technology end of the vertical planar CMOS and CMOS between 

the controversy, so it achieve the comprehensive advantages of the 

two in a single device. As in the vertical channel planar areas 

mixes silicon, increase the channel width, ITFET vertical planar 

areas provide enhanced current capability, which reduces 

parasitic resistance and enhancing the mechanical stability of 

the vertical channel. Compared with traditional CMOS, the technology 

can achieve more gate, greater drive current, which reduces 

leakage current than planar thin body and vertical multi-gate 

CMOS .CMOS has many advantages, such as: lower leakage current , 

lower parasitic capacitance and higher on-current, etc.The 

ITFET technology plan based on the application of 45 nm or above 

high-end devices.

 
 

Copyright © 2005-   SHENZHEN HUAJINGDA ELECTRONICS CO., LTD.  All Rights Reserved    ICP06054581

Address: B6, 5 Floor, HuaFeng business building, Qianjing Road, 25 Borough , BaoAn, Shenzhen, Guangdong, China

   Tel: +86-755-27856858、27856078  Fax: +86-755-27857806  Http://www.szhjd.com  E-mail:hjd@szhjd.com 

 Stat.     Powered by IC160.com